技术编号：9742801
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 娃碳化物（SiC)近年来，因其突出的化学、物理及电气特性而受到明显关注。尤其 是，已发现大块单晶SiC有用于半导体应用，包括如功率电子设备中之组件所用材料之基 材及LED。此种材料的其它应用也开始出现。[000引娃碳化物能通过各种所属领域已知的方法予W制备。例如，已使用物理气相传输 (PVT)法制备娃碳化物之大型单晶。运种方法在晶体生长炉的高溫区中提供如粉状娃碳化 物之来源，并且予W加热。还在较低溫区中提供如娃碳化物单晶晶圆之晶种。娃碳化物系加 热至升华...
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