技术编号：9744238
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体加工过程中，最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。而单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。发明内容为解决上述存在的问题，本发明提供一种低污染环保型化学机械抛光液。本发明解决上述技术问题采用的技术方案为一种低污染环保型化学机械抛光液，由以下质量份数的原...
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