技术编号：97478
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及保护流体下的单晶生长技术。重掺锑硅单晶，特别是电阻率为10-2-10-3Ω·cm的重掺锑硅单晶是制作晶体管和集成电路所需的外延片衬底的重要材料，同其他V族元素相比，锑在硅中的扩散系数最小，因而它在硅半导体器件工艺中所能产生有害的自扩散效应最小，所以重掺锑硅单晶在硅材料中占有重要的地位。由于锑和硅的物理性质注定了制造重掺锑硅单晶比制造普通的硅单晶困难得多，主要原因是生长重掺锑硅单晶所需掺锑的浓度约为1019/cm3，接近于锑在硅中的饱和溶解度，同时锑在硅熔点(1420℃)附近的饱和蒸汽压接近一个大气压，在熔...
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