技术编号:9752247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。非易失性存储器件可以被分类为二维(2D)非易失性存储器件或三维(3D)非易失性存储器件。在2D非易失性存储器件中,串平行于衬底的方向来安置。在3D非易失性存储器件中,串安置在衬底的垂直方向上。例如,3D非易失性存储器件可以包括安置在衬底的垂直方向上的多个垂直沟道层。存储层围绕垂直沟道层。3D非易失性存储器件也可以包括沿着存储层层叠并彼此分开的多个字线。然而,不同于2D非易失性存储器件,3D非易失性存储器件的字线是用不同的层来层叠的。因此,在字线之间可以存在...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。