技术编号:9752250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在嵌入式非挥发性存储器领域,基于反熔丝结构的OTP(one time programmable,一次可编程)存储器因其高稳定性、与CMOS工艺完全兼容、编程容易等优点被广泛应用。基于反熔丝结构的OTP存储器的一个存储单元的电路连接结构示意图如图1所示,存储单元包括两个MOS管,其分别为选择管Ml和反熔丝存储管M2,其中,所述选择管Ml和反熔丝存储管M2的栅极与字线WLO相连,选择管Ml的漏极与位线BLO相连。组成图1所示的存储单元的MOS管以NMOS管为例...
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