技术编号:9752552
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,半导体制造技术中常用的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)结构如图2所示。其中,I为硅衬底,2为场氧化层(STI或L0C0S),3为多晶硅栅极,4为深阱注入区,5为高压漂移注入区,6为体注入区,7为源漏注入区,8为体引出注入区。深阱注入区和高压漂移注入区的净掺杂浓度决定了器件的击穿电压,漂移区串联电阻等器件特性。衬底电阻率变化对于深阱和高压漂移区净掺杂浓度会产生影响,引起器件性能波动。发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种,能使高压器件随衬底电阻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。