技术编号:9752558
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。显示装置包括阵列基板,阵列基板上设置有薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极。由于多晶硅具有较高的电子迀移率,目前,薄膜晶体管的有源层的材质主要为多晶硅,以使薄膜晶体管具有较快的响应速度。现有技术中,主要通过GLA(Green Laser Anneal,绿色激光退火)技术制备多晶娃薄膜,即先在衬底上形成非晶硅薄膜,然后再对非晶硅薄膜进行激光退火处理,使非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜。由于在非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜的过程中,形核中心最先固...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。