技术编号:9752570
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。如图1A至图1F所示,是现有各步骤中的器件结构示意图;这种方法是采用自下而上的方法形成具有屏蔽栅的沟槽栅结构,包括如下步骤步骤一、如图1A所不,提供一半导体衬底如娃衬底101;在半导体衬底101的表面形成硬质掩模层102,硬质掩模层102能采用氧化层,或采用氧化层加氮化层。之后采用光刻工艺对硬质掩模层102进行刻蚀定义出栅极形成区域,之后再以硬质掩模层102为掩模对半导体衬底101进行刻蚀形成深沟槽103。步骤二、如图1B所示,在深沟槽103的侧面和底部表...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。