技术编号：9752583
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制程中，新材料和新工艺的引入可能会导致新的可靠性问题。例如为了减小金属互连对器件速度的延迟，低介电常数(k)和超低k介质被引入到金属互连制程中。由于超低k介质的引入，在高密度倒装芯片封装中引起了新的失效机理CPI，其已成集成电路可靠性的制约因素。为了避免CPI引起的芯片失效，需要在工艺开发阶段使用专用结构进行CPI评估。发明内容本发明提供一种用于芯片封装相互作用的评估的测试电路，所述测试电路包括芯片封装相互作用传感器，所述芯片封装相互作用传感器连接...
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