技术编号：9752759
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。BCD工艺为在同一芯片上制作双极晶体管(Bipolar Junct1n Transistor，BJT)、互补型金属氧化物半导体(CMOS)、扩散金属氧化物半导体(DMOS)的工艺。在B⑶工艺中为缩短NLDMOS器件的沟道长度，降低导通电阻，在源端采用了自对准注入的P型本体。但在0.1Sum及更先进工艺中，受限于多晶硅厚度或其对杂质注入的阻挡能力，使NLDMOS器件的开启电压对P型本体的注入剂量非常敏感，工艺不稳定，且沟长较长，导通电阻依旧较大。在现有NLD...
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