技术编号:9752780
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。InAs/GaSb II类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料,近年来,美国、德国、日本等国都在大力发展基于该II类超晶格的红外探测技术。InAs/GaSb异质材料体系具有十分特殊的能带排列结构,InAs禁带宽度小于InAs/GaSb的价带偏移,因此InAs的导带底在GaSb的价带顶之下,构成II类超晶格。这就导致(I)电子和空穴在空间上是分离的,电子限制在InAs层中,而空穴限制在GaSb层中,其有效禁带宽度为电子微带至重空穴微带的能量差;(2)...
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