技术编号：9752825
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。多重量子阱和电子阻挡层是两种广泛使用在氮化镓基光电器件上的结构，多重量子阱的光电器件和传统的双异质结光电器件相比，具有发光效率较高的优点，而电子阻挡层可增加电子和空穴在多重量子阱的复合概率，以提升发光效率。氮化镓基光电器件的多重量子阱结构是由两种不同带隙的材料交叠而成，其中势阱层一般为氮化铟镓，而势皇层一般为氮化镓，因势阱层和势皇层组成材料的晶格常数不同使两者间存在应力，该应力会产生压电场导致量子阱的带隙边由方形改变为三角形，在P型氮化镓一侧较低而η型氮化...
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