技术编号：9752851
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。MRAM是一种非易失型的存储器，由依靠电路相互连接的磁性存储器件的阵列组成。每个存储器件含有铁磁性的自由层和固定层。自由层和固定层之间由非磁性的隔离层分开。在MRAM正常工作时自由层的磁化方向可以改变，而固定层的磁化方向保持不变。磁性存储器件的电阻与自由层和固定层的相对磁化方向有关。当自由层的磁化方向相对于固定层的磁化方向发生改变时，磁性存储器件的电阻值相应改变，对应于不同的存储信息(如O或I)。电阻值发生变化的幅度称为磁电阻。MRAM存储器件在完成工艺制...
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