技术编号:9757052
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制造中,硅衬底(硅片)在升高的温度下接受处理,以用于沉积多种不同的材料。温度通常介于300°C至550°C范围内,但是有时可能高达750°C甚至更高。沉积的材料在硅片表面上的层中“生长”。这些材料中的很多种具有对温度极其敏感的生长速率,因此硅片上的温度变化能够影响薄膜的局部生长速率,导致随着薄膜在硅片上生长,薄膜厚度发生变化。理想的是控制沉积薄膜的厚度变化。有时,理想的是在硅片中心处的薄膜更厚(如同穹顶)。有时,理想的是在边缘上的薄膜更厚(如同凹坑...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。