技术编号：9757053
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明对介电基板上从CCTBA为基础的CVD钻成核作用进行改良的表 面处理戦 [000^ 领域 本发明的实施方式一般设及半导体制造工艺的领域，更详言之，设及用于在介电 基板上形成触点金属层的方法。 相关技术的描述 半导体处理设及许多不同的化学与物理工艺，由此在基板上建立极微的集成电 路。构成集成电路的材料层是通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、外延生长、与 类似工艺所建立。材料层中的一些层是使用光刻胶掩模与湿蚀刻或干蚀刻技术来图案化。 用...
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