技术编号：9757056
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术以往，已知在使用了碳化硅(SiC)半导体的半导体器件(碳化硅半导体装置)中，通过热处理(退火)形成碳化硅半导体部与过渡金属层(电极)的欧姆接触(电接触部)。用于形成碳化硅半导体部与过渡金属层的欧姆接触的热处理温度达到1000°c以上程度的高温。作为热处理方法，有炉退火、激光退火、灯退火等。参照图12?图15对例如在半导体基板的两个面具有电极的垂直型器件的热处理进行说明。在垂直型器件中，需要在半导体基板的两个面形成与各电极的接触部。因此，...
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