技术编号:9762548
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅(SiC)是第三代宽带隙半导体材料,具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迀移速率、高击穿电场等性质,被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、高温电子器件理想的半导体材料。常用SiC多为α相即(4H、6H),其带隙较宽,可用于大功率电子器件;SiC生长使用较多的为(0001)面或(0001)面偏〈11-20〉方向0-8度偏角,以此晶面生长,根据晶体生长理论,SiC单晶(0001)面生长属于螺位错机制生长,生长表面存在的微管、位错等缺陷提供了晶体生长的台阶源...
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