技术编号:9766820
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时,它具备两个特点一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀去除的目的。现有技术中,高速率干法刻蚀所用等离子激发手段主要为ICCP(Impressed Current CathodicProtect 1n,外加电流阴极保护),若要想进一步提高刻蚀速率,一般来说可以通过提高等离子体激励源频率来获得更高的等离子体...
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