技术编号：9766826
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在现有的半导体制作工艺中，经常需要在含有硅元素的衬底上形成氧化物图形，尤其是氧化硅图形，所述氧化硅图形可以用作介质层，或者用作刻蚀衬底或衬底之下膜层的硬掩模层等。现有技术制作氧化物图形时，通常采用的方法包括先在衬底上覆盖整层的氧化物材料，再对氧化物材料进行光刻，去除部分氧化物材料，形成氧化物图形。但是采用现有技术形成的氧化物图形尺寸精度较差。在MEMS器件中，经常需要在衬底或介质层中形成具有一定形状的腔体，一般采用氧化硅图形作为硬掩模，对衬底或介质层进行刻...
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