技术编号:9766827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体材料具有高临界击穿电场、高的热导率、高的饱和电子漂移速度、优越的机性能和物理、化学稳定性等特点,在高温、高压、高频、大功率、抗辐射等领域。由于SiC的临界临界击穿电场强度约为硅的十倍,而饱和电子漂移速度与硅相当,因此SiC功率器件的耐压可以比硅做的更高,同等击穿电压下的比通态电阻也约为硅的百分之一。由于硅材料特性的限制,一般硅基功率MOSFET的工作电压范围在1200V以内,而硅基IGBT器件最大的反向击穿电压仅为650...
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