技术编号:9766829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明N I族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、I I I族氮化 物半导体自支撑基板或Μ I族氮化物半导体元件的制造方法、 以及Ml族氮化物生长用基板[00011 本申请是申请日为2011年9月30日、申请号为201180047494.3、发明名称为"III族 氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物 半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板"的申请的分案申请。 本发明涉及III族氮化物半导体元件...
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