具有硅-锗量子阱的高迁移率pmos及nmos装置的制造方法技术资料下载

技术编号:9766852

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制造半导体装置需要若干独立的制程步骤以从半导体原材料生产封装半导体装置。从半导体材料的初始生长、将半导体晶体切片成独立晶圆、制造阶段(蚀刻、掺杂、离子注入等)直至封装以及已完成装置的最终测试的各种制程彼此大不相同,尤其,该些制程可在包含不同控制方案的不同制造位置执行。—般来说,目前实施多种制程技术,其中,对于许多类型的复杂电路,包括场效应晶体管,MOS技术因在操作速度和/或功耗和/或成本效率方面的优越特性而成为目前最有前景的方法之一。在利用例如MOS技术制...
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