技术编号：9767268
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路制造工艺水平相继进入深亚微米时代、纳米时代，集成电路中的MOS晶体管都采用浅掺杂结构LDD (Lightly Doped Drain);硅化物覆盖于MOS晶体管扩散区上；多晶化合物工艺用于减小栅极多晶的串联电阻；而且MOS晶体管栅极氧化层厚度越来越薄，沟道长度越来越小。这些改进都提高了芯片的集成度和提高芯片的运算速度，降低芯片功耗，但是对于深亚微米集成电路的静电放电设计，却带来了很大的弊端，因为集成电路所面临的静电环境没有改变，但工艺进步导致器...
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