技术编号:9768921
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。以往,单晶硅主要根据CZ法来制造。在CZ法中,首先是向石英坩祸内放入多晶硅原料,通过石墨制的加热器进行加热并熔融原料。向该熔液中浸入安装于上轴的下端的晶种,并使上轴旋转,同时以低速提拉,从而使单晶硅成长。这样使单晶硅成长的装置就是单晶硅提拉装置。在该单晶硅提拉装置中,由于石英坩祸内的熔液液面会在提拉单晶硅的同时降低,因此为了使熔液面保持在一定的高度位置上,则使坩祸上升与熔液面的降低对应的量。另外,对于提拉一定直径的单晶硅,需要一边测量提拉中的直径,一边控制...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。