技术编号：9781263
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。作为成膜高品质的半导体膜的方法，具有通过气相生长使单结晶膜生长于晶片等基板的外延生长技术。在使用外延生长技术的气相生长装置中，将晶片载置于被保持成常压或者减压后的反应室内的支承部上。并且，一边加热该晶片，一边将成为成膜的原料的源气体等过程气体(process gas)从反应室上部供给到晶片表面。在晶片表面产生源气体的热反应等，在晶片表面成膜出外延单结晶膜。在外延单结晶膜的成膜中，生产率的提高成为课题。在JPHll - 29392中记载有外延生长装置，该外延...
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