技术编号：9781359
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。砸化铋(Bi2Se3)是一种传统的热电材料，近年来有研究发现其为强拓扑绝缘体量子材料，而且其体能带隙较宽(?0.3eV)，是最有可能实现室温应用的拓扑绝缘体材料之一，在将砸化铋制作为各种热电能源器件与微型量子器件工艺中，刻蚀是十分必要的步骤。目前刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀两种，干法刻蚀所需等离子体设备昂贵，操作复杂，而且对材料的刻蚀无选择性，因此对掩膜的损伤较大;湿法刻蚀又分为电化学刻蚀和化学刻蚀等多种，其中化学刻蚀无需使用大型机电设备，操作简便，...
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