技术编号:9788915
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。自旋电子器件是一种全新的电子器件,与传统半导体电子器件相比,它能同时利用电子的电荷和自旋属性,因此具有速度快、体积小、耗能发热低及非易失性等优点。稀磁半导体是制备自旋电子器件的理想材料,基于稀磁半导体材料,已经设计出自旋场效应管、自旋发光二极管等一系列自旋电子器件。SiC是第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,饱和电子迀移速率高,热导率高等优异的物理和化学性能,适应于大功率、高温、高压及抗辐射器件领域。作为潜在的SiC基稀磁半导体材料,以SiC为材料制得...
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