技术编号：9789067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。经过二十多年的快速发展，以栅长为最小特性尺寸的化合物半导体已经进入了纳米器件时代，对栅光刻技术提出了更高的要求。目前，200nm以下的光刻机售价昂贵，维护成本高，而化合物半导体以研发和小批量生产为主，更新换代的速度要远快于硅，因此性价比较高的电子束曝光技术成为其最佳选择。与光刻技术不同，高能电子束打到衬底表面后若不能被及时导走会产生电荷的积累，积累的电荷产生电场，束斑在受到电场的作用下会发生偏转，从而影响到电子束设备对标记的识别和刻写的精度。在电荷积累严重...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。