技术编号：9789165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。铝镓氮化合物(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迀移率晶体管(HEMT)作为第三代宽禁带化合物半导体器件具有更大输出功率、更宽工作带宽和更高工作效率以及更强的抗辐射能力等优势，使其应用前景广阔。AlGaN/GaN HEMT微波功率器件大的输出功率得益于其高的功率密度，现有报道GaN微波功率器件输出功率密度可达30W/mm以上(Wu et al.1EEEElectron Device Lett.,Vol.25,N0.3,pp.117-119,2004.)，...
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