技术编号:9789229
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET输入级和PNP晶体管输出级复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点控制和响应,又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点功率级较为耐用,频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。寿命控制技术的原理是向器件内部引入空间分布适当的复合中心,以有效减小少子寿命,提高器件开关速度。现有用于高压功率器件的寿命控制技术分为传统寿命控制技术(扩金、扩铂、电...
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