一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片及其制造方法技术资料下载

技术编号:9789239

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平面终端技术广泛应用于功率半导体器件芯片,目前的平面终端技术多为保护环结构。采用保护环结构的平面可控硅芯片,如图1所示,N__型硅单晶片101’、背面P型阳极区102’、正面P型短基区103’、N-+型阴极区104’、对通隔离环105’、保护环106’、正面的门极金属电极107’、正面的阴极金属电极108’、背面的阳极金属电极109’、钝化保护膜110’,保护环106’环设于正面P型短基区103’四周,保护环106’与正面P型短基区103’间隔一定的距离,...
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