技术编号:9789242
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。硅工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在半导体业中占有举足轻重的地位。现今在超大型集成电路中应用,为了提高制作工艺密度,需将器件缩小,因而造成器件短通道效应(Short Channel Effect)的发生。在深次微米器件中,短通道效应为一重要的课题,像器件临界电压值(ThresholdVoltage, Vth)会因通道缩短而下降(Roll-off)、漏极端引入的势皇降低(Drain InduceBarrier Lowing,DIBL)效应,...
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