技术编号：9789335
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。信息技术的高速发展需要高速度、高密度以及低功耗的不挥发性存储器，研究开发新型不挥发性存储器近年来受到了持续的关注。电荷与自旋是信息存储所利用的两大电子属性，而大多将两者单独应用且存在各自的弊端。闪存利用电荷存储机制，其操作电压高、编程速度慢，尤其是半导体特征尺寸进入至Ij22nm时代后还将面临物理极限；磁存储器利用磁场对磁性薄膜读写完成信息存储，但写入速度慢，使用寿命短;铁电存储器的信息读取是通过探测极化反转的电流信号，其读取电压必须高于矫顽电压属破坏性读...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。