技术编号：9789359
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在有机半导体功能器件的制备中，如何提高基片表面的功函数，从而降低空穴注入的势皇，一直以来都是研究的热点问题。传统的做法都是通过制备过渡金属氧化物薄膜来实现这一目的，而且往往是采取真空蒸镀的方式来完成薄膜的沉积，但此种薄膜沉积方法对设备的要求高，能耗大，材料利用率低，人员操作要求苛刻，同时此种方法局限了大面积有机半导体实用化器件的制备与发展。随着有机半导体器件制备工艺的快速发展，其湿法制备的工艺应运而生。但是此种制备有机半导体器件的方法也仍然存在很多问题，而...
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