技术编号:9793363
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明用于制备含氧化铟的层的制剂、其制备方法及其用途本发明涉及用于制备含氧化铟的层的制剂、其制备方法及其用途。与许多的其它方法例如化学气相沉积(CVD)相比,依靠印刷和其它液体沉积方法来制备半导体电子组件层能够产生显著更低的制造成本,因为半导体能够在此以连续的工艺来沉积。此外,在较低的加工温度情况下,还开辟了下面的可能性在柔性基材上工作,并且可能(特别是在非常薄的层的情况中,和特别是在氧化物半导体的情况中)实现印刷层的光学透明度。半导体层在这里和下面被理...
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