技术编号：9793551
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明设及粗瓣射祀及其制造方法。特别是设及用于形成作为大规模集成电路 (LSI)中的铜布线的扩散阻挡层的化膜或化側莫的粗瓣射祀及其制造方法。背景技术 W往，使用侣作为半导体元件的布线材料，但随着元件的微细化、高集成化，出现 布线延迟的问题，逐渐使用电阻小的铜代替侣。虽然铜作为布线材料非常有效，但是由于铜 本身是活跃的金属，因此存在扩散至层间绝缘膜而导致污染的问题，在铜布线与层间绝缘 膜之间需要形成化膜、TaN膜等扩散阻挡层。 -般而言，Ta膜、TaN膜通...
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