技术编号:9794176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明设及碳化娃单晶晶片的内应力的评价方法、W及碳化娃单晶晶片的翅曲的 预测方法。背景技术 碳化娃(SiC)是具有2.2~3.3eV的宽的禁带宽度的宽带隙半导体,因其优异的物 理、化学特性,正在作为耐环境性半导体材料进行研究开发。特别是近年来,SiC作为面向从 蓝色到紫外的短波长光器件、高频电子器件、高耐电压?高输出电子器件的材料受到关注, 研究开发变得活跃。但是,SiC难W制造出优质的大口径单晶,迄今为止妨碍了SiC器件的实 用化。 W往,在研究室程度...
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