技术编号:9794195
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。日本特开2012-043890号公报公开了在同一半导体基板中具备二极管区域以及IGBT区域的半导体装置的一个示例。发明内容发明所要解决的课题在同一半导体基板中具备二极管区域以及IGBT区域的半导体装置中,在半导体装置作为二极管进行工作时,存在由IGBT区域的体区、漂移区与二极管区域的阴极区构成的寄生二极管导通的情况。当寄生二极管导通时,空穴也会从IGBT区域的体区向漂移区注入,从而会由于电导率调制现象而使二极管区域的正向电压下降。从体区被注入至漂移区的空穴...
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