技术编号:9794207
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明光生伏打装置[000。 背景 本发明一般性设及光生伏打装置。更具体地,本发明设及包括砸的光生伏打装置。 薄膜太阳能电池或光生伏打(PV)装置通常包括多个在透明的基材(substrate)上 布置的半导体层,其中一层用作窗口层,第二层用作吸收剂层。窗口层允许太阳福射渗透至 吸收剂层,其中光能转化为可用的电能。与吸收剂层组合,窗口层进一步发挥功能W形成异 质结(p-n接合)。基于蹄化儒/硫化儒(CdTe/CdS)异质结的光生伏打电池为薄膜太阳能电池 的...
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