技术编号：9805153
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 SiC单晶在热、化学方面非常稳定、机械强度优异、耐放射线方面强，而且与Si单 晶相比具有高的绝缘击穿电压、高的热导率等优异的物理性质。因此，可实现在Si单晶、 GaAs单晶等现有半导体材料中不能实现的尚输出、尚频、耐电压、耐环境性等，作为可进行 大电力控制、节能的功率器件材料、高速大容量信息通信用器件材料、车载用高温器件材 料、耐放射线器件材料等这样宽范围的新一代的半导体材料的期待正在高涨。 作为SiC单晶的生长方法，代表性的已知有气相法、艾奇逊（Ach...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。