技术编号：9810797
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高能质子或高能中子撞击原子核产生的辐射以及宇宙射线中的重核粒子都能引起电路状态的改变，如组合逻辑中的瞬变、存储类单元的位翻转等，这种效应是单个粒子作用的结果，通常称为单粒子效应。随着集成电路制造工艺的特征尺寸进一步缩小，器件尺寸的减小伴随着节点电容的降低，电路发生单粒子翻转(即从O变为I或I变为O)所需要的临界电荷变得极低。对于65纳米工艺，电路翻转的临界电荷Qcrit〈20fC，相当于翻转的阈值LET低于IMeV.cm2/mg。如此低的翻转阈值使得低LE...
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