技术编号:9811939
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及存储器领域,具体而言,涉及一种静态随机存储器。背景技术静态随机存储器(SRAM)可以实现快速的读/写操作。图1是根据现有技术的一种6T静态随机存储器的示意图,如图1所示,该6T静态随机存储器的每个存储模块包含6个晶体管,分别是晶体管PG-1、晶体管PG-2、晶体管PU-1、晶体管PD-1、晶体管PU-2和晶体管Η)-2。晶体管PU-1、晶体管PD-1、晶体管PU-2、晶体管PD-2、电源VDD和地VSS共同构成存储单元,用于存储电平状态,即高电平...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。