技术编号:9811950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为了改善存储器件的密度,业界已经广泛致力于研发减小二维布置的存储器单元的尺寸的方法。随着二维(2D)存储器件的存储器单元尺寸持续缩减,信号冲突和干扰会显著增大,以至于难以执行多电平单元(MLC)操作。为了克服2D存储器件的限制,业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储器件,通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成FtFt也/又。如图1所示,具体的,可以首先在衬底111上沉积多层叠层结构(例如氧化物和氮化物交替的多个ONO结构);通过各向异性的刻蚀工艺...
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