技术编号：9812277
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氮化硅是一种广泛使用于晶圆制程中的介电材料。氮化硅薄膜典型地是形成在半导体基底上，一般用作刻蚀晶圆中二氧化硅的阻挡层，形成于二氧化硅层的上表面。而在湿法刻蚀工艺过程中，常常用磷酸来刻蚀或腐蚀该氮化硅阻挡层。在腐蚀的过程中，通常是将数目众多的晶圆同时置于磷酸溶液中，由于处于磷酸溶液中的氮化硅和二氧化硅具有不同的刻蚀速率(刻蚀选择比)，即同样时间内磷酸腐蚀氮化硅和二氧化硅的速率不同。影响氮化硅和二氧化硅在磷酸中的刻蚀选择比的因素通常有浸泡时间、磷酸溶液的温度以...
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