修正相移掩膜中特征尺寸偏差的方法及相移掩膜的制作方法技术资料下载

技术编号:9812289

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光刻是半导体器件的制作过程中最常见的工艺之一。在光刻的步骤中,光源通过 光掩膜将电路图形复制到晶圆上的光刻胶层中。目前,主要的光掩膜类型有二元式光掩膜 和相移掩膜两种类型。其中,相移掩膜通常由石英基板,形成于石英基板上的相移层W及形 成于相移层上的不透光层(一般为館层)组成。在采用相移掩膜进行光刻时,相移层能够 使得照射到相移层上的光产生180度的相移,从而使得透过相邻透光区之间的光产生相位 差,进而发生相消干涉,由此改善了采用相移掩膜所形成图形的分辨率...
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