技术编号：9812300
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件的栅极结构通常包括栅极以及设于栅极与衬底之间的第一氧化层(栅氧层)，栅极结构的性能直接影响整个半导体器件的电学性能。但是现有技术中形成的栅极结构的性能仍然不够理想，例如，栅极结构中的第一氧化层的电性不稳定，或者等效第一氧化层厚度发生变化等均会导致栅极结构的性能变差。因此，如何提升形成的栅极结构的电学性能成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。发明内容本发明解决的问题是提供一种以提升形成的栅极结构的性倉泛。为解决上述问题，本发明提供一种，包括提供衬底...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。