技术编号:9812314
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体集成电路的,具体而言,涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件。背景技术在半导体器件的制作过程中,通常在源漏极和/或多晶硅栅极的表面上形成金属硅化物。金属硅化物具有熔点高(大于1000°C )、电阻率低(约为10 7 Ω.m)等特性,能够降低后续形成的接触金属层与源漏极和/或多晶硅栅极之间的接触电阻。随着半导体器件的特征尺寸的减少,半导体器件中不同器件通常需要采用不同的金属硅化物。例如,非易失性存储器(NVM)通常包括核心存储区和外围电路区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。