技术编号:9812409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着显示技术的发展,显示面板的PPI(像素密度)逐渐提升,TFT(薄膜晶体管)的 尺寸越来越小,对应Via ho 1 e (过孔)尺寸也随之变小。 现有阵列基板的制作工艺中,通常采用PVD(F*hysical Vapor Deposition,物理气 相沉积)方式在绝缘层的过孔处沉积导电层,W实现导电层与位于绝缘层下的导电图形的 连接,但是该种方式要求过孔的尺寸不能太小,如果过孔的尺寸太小,则在过孔处形成的导 电层与导电图形之间容易出现接触不良,导致阵列...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。