技术编号:9812416
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体集成电路的,具体而言,涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件。背景技术随着晶体管的特征尺寸不断缩小,在半导体器件的制作过程中经常采用金属栅极取代多晶硅栅极。这是由于采用金属栅极所形成晶体管具有有效栅氧化层厚度(EOT)较小、栅极漏电流较低以及能耗低等优点。因此,半导体器件的制作过程中,通常需要在性能要求高的器件区上形成金属栅极,而在其他器件区上形成多晶硅栅极。图1至图3示出了现有半导体器件的制作过程,包括以下步骤首先,提供包括第一区域11...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。