技术编号:9812461
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步,半导体结构的特征尺寸不断缩小,芯片面积持续增大,半导体结构的RC(R指电阻,C指电容)延迟问题变得更为显著。特别是由于金属布线的线间电容影响日益严重,造成器件性能大幅度下降,已经成为半导体工业进一步发展的关键制约因素。半导体结构的金属互连线之间的寄生电容和互连电阻造成了信号的传输延迟。由于铜具有较低的电阻率,优越的抗电迁移特性和高的可靠性,能够降低金属的互连电阻,进而减小总的互连延迟效应,现已由常规的招互连改变为低电...
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